摩根士丹利预测 DDR4 内存价格上涨，影响存储设备成本结构

摩根士丹利预测的全球 DDR4 内存价格上涨将直接影响依赖该类型内存的各类电子设备和数据中心成本结构。根据摩根士丹利的预测，2026 年第三季度全球 DDR4 内存价格预计会上涨 50%。

这一预估的价格走势与 SLC NAND 的预期变化存在关联性。摩根士丹利进一步预测，SLC NAND 的价格涨幅会更高，预计在 2026 年的第三季度和第四季度均将上涨 50% 以上。

分析指出，驱动此次价格波动的核心因素是供给侧的变化。摩根士丹利认为，本轮供应收缩的主要推动力来源于供给侧的变化，而非需求端的突变。

造成产能结构性变化的直接原因是存储厂商正在持续地将晶圆产能转向 HBM、DDR5 以及更高层数的 NAND 技术。这种技术迭代趋势导致了留给 DDR4 和 SLC NAND 的可用产能份额快速缩小。

从技术演进的角度看，HBM（高带宽内存）的特殊结构是关键影响因素之一。摩根士丹利指出，由于 HBM 包含垂直堆叠结构等多种原因，其晶圆消耗量约为传统 DRAM 的三倍，这极大地拉动了高端存储芯片的需求和产能分配。

在行业需求侧的观察中，HBM 的市场潜力巨大。整个行业的对 HBM 的总需求估计约为 615 亿 Gb。此外，摩根士丹利还提到瑞银近期预计，英伟达单家公司在 2027 年将消耗约 251 亿 Gb 的 HBM。

回顾近期的市场表现可以观察到价格上涨的趋势信号。美国银行数据显示，DDR5-5600/6400 24GB 内存的现货价格在八月份环比上涨了 8%，其同比涨幅约为 483%。这表明当前存储市场的价格波动已是持续性的。

综合来看，摩根士丹利对 DDR4 和 SLC NAND 的预测，描绘了一幅高端、高带宽内存技术（如 HBM）需求爆发式增长的图景。对于市场参与者而言，这意味着在未来一段时间内，传统或低端内存类型的成本压力可能会持续增大。

需要强调的是，上述关于 2026 年第三季度 DDR4 内存价格上涨 50% 的预测，是来源于摩根士丹利发布的一份报告。读者应将此视为分析师的观点预警，而非已发生的市场定论。